Bipolartransistor BCP51-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP51-10

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BCP51-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCP51-10 ist der BCP54-10.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCP51-10

Sie können den Transistor BCP51-10 durch einen BCP51, BCP52, BCP52-10, BCP53, BCP53-10, BDP952 oder NZT45H8 ersetzen.
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