Elektrische Eigenschaften des Transistors BD138-10
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 12.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD138-10
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BD138-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD138 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD138-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD138-6 im Bereich von 40 bis 100.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum BD138-10 ist der BD137-10.