Bipolartransistor BD229

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD229

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD229

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD229 ist der BD228.

SMD-Version des Transistors BD229

Der BCP52 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD229-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD229

Sie können den Transistor BD229 durch einen BD138, BD138G, BD140, BD140G, BD168, BD170, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD231, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD380, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
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