Bipolartransistor BD238G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD238G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD238G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD238G ist der BD237G.

SMD-Version des Transistors BD238G

Der BCP53 (SOT-223), BCP53-10 (SOT-223), BCP53-16 (SOT-223), BCX53 (SOT-89), BCX53-10 (SOT-89) und BCX53-16 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD238G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD238G

Sie können den Transistor BD238G durch einen 2N6036, 2N6036G, 2SB1067, 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, 2SB1167, 2SB1167-Q, 2SB1167-R, 2SB1167-S, 2SB1167-T, 2SB1168, 2SB1168-Q, 2SB1168-R, 2SB1168-S, 2SB1168-T, BD180, BD180-10, BD180-6, BD180G, BD238, BD380, BD380-10, BD380-16, BD380-25, BD380-6, BD442, BD442G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, BD790, BD792, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y, KSE172, KSE702, KSE703, MJE172, MJE172G, MJE250, MJE251, MJE253, MJE253G, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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