Bipolartransistor MJE171G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE171G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE171G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE171G

Sie können den Transistor MJE171G durch einen BD178, BD180, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSE171, KSE172, MJE171, MJE172, MJE172G, MJE235, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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