Bipolartransistor BD178

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD178

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD178

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD178 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD178-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD178-6 im Bereich von 40 bis 60.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD178 ist der BD177.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD178

Sie können den Transistor BD178 durch einen BD180, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE235, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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