Bipolartransistor BD138

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD138

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD138

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD138 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD138-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD138-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD138-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD138 ist der BD137.

SMD-Version des Transistors BD138

Der BCP52 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD138-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD138

Sie können den Transistor BD138 durch einen BD138G, BD140, BD140G, BD168, BD170, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD229, BD231, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD380, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD138G-Transistor ist die bleifreie Version des BD138.
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