Bipolartransistor BD176-10

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 63 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD176-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD176 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD176-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD176-6 im Bereich von 40 bis 60.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD176-10 ist der BD175-10.Sie können den Transistor BD176-10 durch einen 2SB744, 2SB744A, BD132, BD178, BD178-10, BD180, BD180-10, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251 oder MJE252 ersetzen.