Bipolartransistor MJE172

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE172 ist der MJE182.Der BDP952 (SOT-223) und BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE172-Transistors.Sie können den Transistor MJE172 durch einen BD180, BD180G, BD790, BD792, KSE172, MJE172G, MJE252 oder MJE254 ersetzen.