Bipolartransistor BD180-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD180-10

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD180-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD180-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD180 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD180-6 im Bereich von 40 bis 60.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD180-10 ist der BD179-10.

SMD-Version des Transistors BD180-10

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD180-10-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD180-10

Sie können den Transistor BD180-10 durch einen BD180G, BD790, BD792, KSE172, MJE172, MJE172G, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G oder MJE254 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com