Bipolartransistor BD190
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD190
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD190
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BD190 ist der
BD189.
SMD-Version des Transistors BD190
Der
NZT660 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD190-Transistors.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD190
Sie können den Transistor BD190 durch einen
2N6035,
2N6035G,
2N6036,
2N6036G,
2SB1168,
2SB1168-Q,
2SB1168-R,
2SB1168-S,
2SB1168-T,
BD440,
BD440G,
BD442,
BD442G,
BD678,
BD678A,
BD678AG,
BD678G,
BD680,
BD680A,
BD680AG,
BD680G,
BD682,
BD682G,
BD778,
BD780,
BD788,
BD788G,
BD790,
BD792,
KSE700,
KSE701,
KSE702,
KSE703,
MJE233,
MJE234,
MJE250,
MJE251,
MJE253,
MJE253G,
MJE700,
MJE700G,
MJE701,
MJE701G,
MJE702,
MJE702G,
MJE703 oder
MJE703G ersetzen.
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