Bipolartransistor BD140-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD140-10

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD140-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD140-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD140 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD140-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD140-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD140-10 ist der BD139-10.

SMD-Version des Transistors BD140-10

Der BCP53 (SOT-223), BCP53-10 (SOT-223), BCX53 (SOT-89) und BCX53-10 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD140-10-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD140-10

Sie können den Transistor BD140-10 durch einen 2SA1021, 2SA1408, 2SB649, 2SB649A, BD140G, BD170, BD180, BD180-10, BD180G, BD231, BD238, BD238G, BD380, BD380-10, BD790, BD792, KSE172, MJE172, MJE172G, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254 oder MJE712 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com