Elektrische Eigenschaften des Transistors BD136-16
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 12.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD136-16
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BD136-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD136 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD136-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD136-6 im Bereich von 40 bis 100.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum BD136-16 ist der BD135-16.
SMD-Version des Transistors BD136-16
Der BCP51 (SOT-223), BCP51-16 (SOT-223), BCX51 (SOT-89) und BCX51-16 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD136-16-Transistors.