Bipolartransistor BD136-16

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD136-16

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD136-16

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD136-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD136 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD136-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD136-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD136-16 ist der BD135-16.

SMD-Version des Transistors BD136-16

Der BCP51 (SOT-223), BCP51-16 (SOT-223), BCX51 (SOT-89) und BCX51-16 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD136-16-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD136-16

Sie können den Transistor BD136-16 durch einen 2SA1214, 2SB1142, 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, 2SB986, BD132, BD136G, BD138, BD138-16, BD138G, BD140, BD140-16, BD140G, BD166, BD168, BD170, BD176, BD176-16, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD227, BD229, BD231, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD376-16, BD378, BD378-16, BD380, BD380-16, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE235, MJE252, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
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