Bipolartransistor 2SB744

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB744

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 45 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB744

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB744 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB744-O liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB744-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB744-Y im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB744-Transistor könnte nur mit "B744" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB744 ist der 2SD794.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB744

Sie können den Transistor 2SB744 durch einen 2SB744A, BD132, BD188, BD190, KSB744, KSB744A, MJE235 oder MJE252 ersetzen.
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