Bipolartransistor BD231

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD231

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD231

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD231 ist der BD230.

SMD-Version des Transistors BD231

Der BCP53 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD231-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD231

Sie können den Transistor BD231 durch einen BD140, BD140G, BD170, BD180, BD180G, BD238, BD238G, BD380, BD790, BD792, MJE252, MJE254 oder MJE712 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com