Bipolartransistor BD178-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD178-10

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD178-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD178-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD178 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD178-6 im Bereich von 40 bis 60.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD178-10 ist der BD177-10.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD178-10

Sie können den Transistor BD178-10 durch einen 2SB744A, BD180, BD180-10, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G oder MJE254 ersetzen.
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