Bipolartransistor MJE233

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE233

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE233

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE233 ist der MJE223.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE233

Sie können den Transistor MJE233 durch einen BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE235, MJE250, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com