Bipolartransistor BD140

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD140

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD140

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD140 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD140-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD140-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD140-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD140 ist der BD139.

SMD-Version des Transistors BD140

Der BCP53 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD140-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD140

Sie können den Transistor BD140 durch einen BD140G, BD170, BD180, BD180G, BD231, BD238, BD238G, BD380, BD790, BD792, MJE252, MJE254 oder MJE712 ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD140G-Transistor ist die bleifreie Version des BD140.
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