Bipolartransistor BD136G
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD136G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
- Verlustleistung, max: 12.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Der BD136G ist die bleifreie Version des BD136-Transistors
Pinbelegung des BD136G
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors BD136G
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD136G
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