Bipolartransistor BD176

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD176

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD176

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD176 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD176-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD176-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD176-6 im Bereich von 40 bis 60.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD176 ist der BD175.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD176

Sie können den Transistor BD176 durch einen BD132, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE235 oder MJE252 ersetzen.
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