Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD795-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 95 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD795-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD795-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD795 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des 2SD795-E im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD795-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD795-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD795-Q-Transistor könnte nur mit "D795-Q" gekennzeichnet sein.