Bipolartransistor 2SD1062

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1062

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD1062

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1062 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1062-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1062-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1062-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1062-Transistor könnte nur mit "D1062" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1062 ist der 2SB826.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1062

Sie können den Transistor 2SD1062 durch einen 2SD1669, BD545A, BD545B, BD545C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85 oder BDT85F ersetzen.
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