Bipolartransistor 2SD1762

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1762

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1762

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1762 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1762D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1762E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1762F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1762-Transistor könnte nur mit "D1762" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1762 ist der 2SB1185.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1762

Sie können den Transistor 2SD1762 durch einen 2SC1061, 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SD1133, 2SD1134, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDX77, D44H11, D44H11FP oder D44H8 ersetzen.
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