Bipolartransistor 2SD795

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD795

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 95 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD795

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD795 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD795-E liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD795-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD795-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD795-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD795-Transistor könnte nur mit "D795" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD795

Sie können den Transistor 2SD795 durch einen 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, BD201, BD203, BD241, BD241A, BD241B, BD243, BD243A, BD243B, BD301, BD303, BD533, BD535, BD537, BD539, BD539A, BD539B, BD543, BD543A, BD543B, BD545, BD545A, BD545B, BD737, BD795, BD797, BD799, BD807, BD809, BD949, BD951, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDX77, D44H11, D44H11FP oder D44H8 ersetzen.
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