Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1444A
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 260
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1444A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1444A kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1444A-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1444A-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD1444A-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1444A-Transistor könnte nur mit "D1444A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1444A ist der 2SB953A.
