Bipolartransistor 2SD1669-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1669-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1669-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1669-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1669 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SD1669-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1669-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1669-R-Transistor könnte nur mit "D1669-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1669-R ist der 2SB1136-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1669-R

Sie können den Transistor 2SD1669-R durch einen 2SC3345, 2SC3346, 2SC3709, 2SC3709A, 2SC3710, 2SC3710A, 2SC4552, 2SC4552-M, 2SD1062, 2SD1062-R, BD545A, BD545B, BD545C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85 oder BDT85F ersetzen.
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