Bipolartransistor 2SD1667

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1667

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1667

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1667 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1667-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1667-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1667-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1667-Transistor könnte nur mit "D1667" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1667 ist der 2SB1134.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1667

Sie können den Transistor 2SD1667 durch einen 2SC1985, 2SC1986, 2SC3253, 2SC3254, 2SC3255, 2SC3746, 2SC3747, 2SC3748, 2SD1061, 2SD1062, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1668, 2SD1669, 2SD613, 2SD823, BD203, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDX77, D44H11, D44H11FP oder D44H8 ersetzen.
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