Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1356-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1356-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1356-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1356 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SD1356-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD1356-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1356-O-Transistor könnte nur mit "D1356-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1356-O ist der 2SB996-O.
SMD-Version des Transistors 2SD1356-O
Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1356-O-Transistors.
