Bipolartransistor MJF15030G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF15030G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE15030G transistor
  • Der MJF15030G ist die bleifreie Version des MJF15030-Transistors

Pinbelegung des MJF15030G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJF15030G ist der MJF15031G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF15030G

Sie können den Transistor MJF15030G durch einen BDX53F, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE5740 oder MJF15030 ersetzen.
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