Bipolartransistor KSD363-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD363-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD363-O transistor

Pinbelegung des KSD363-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD363-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD363 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KSD363-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSD363-Y im Bereich von 120 bis 240.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD363-O

Sie können den Transistor KSD363-O durch einen 2SC2527, 2SC3834, 2SC4153, 2SD363, 2SD363-O, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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