Bipolartransistor NTE291

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 130 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 16 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum NTE291 ist der NTE292.Sie können den Transistor NTE291 durch einen 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, TIP41E, TIP41F, TIP42E oder TIP42F ersetzen.