Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC4511-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SC4511-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC4511-P kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC4511 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SC4511-O im Bereich von 50 bis 100, die des 2SC4511-Y im Bereich von 90 bis 180.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC4511-P-Transistor könnte nur mit "C4511-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC4511-P ist der 2SA1725-P.
SMD-Version des Transistors 2SC4511-P
Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SC4511-P-Transistors.