Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2018-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des KTC2018-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC2018-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2018 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des KTC2018-Y im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC2018-O ist der KTA1038-O.
SMD-Version des Transistors KTC2018-O
Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2018-O-Transistors.