Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD363-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD363-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD363-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD363 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SD363-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD363-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD363-O-Transistor könnte nur mit "D363-O" gekennzeichnet sein.
