Bipolartransistor BDP951

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 475
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-223

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der BDP951-Transistor ist als "BDP951" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDP951 ist der BDP952.Sie können den Transistor BDP951 durch einen BDP953 oder BDP955 ersetzen.