Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1407A-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1407A-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1407A-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1407A liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SD1407A-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD1407A-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1407A-O-Transistor könnte nur mit "D1407A-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1407A-O ist der 2SB1016A-O.
SMD-Version des Transistors 2SD1407A-O
Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1407A-O-Transistors.
