Bipolartransistor 2SB1017-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1017-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1017 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SB1017-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1017-Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1017-R-Transistor könnte nur mit "B1017-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1017-R ist der 2SD1408-R.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1017-R-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1017-R durch einen 2N6126, 2N6134, 2N6475, 2N6476, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1090, 2SB1090-M, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB1368, 2SB1368-R, 2SB595, 2SB595-R, 2SB596, 2SB596-R, 2SB633, 2SB633-C, 2SB703, 2SB703-S, 2SB703A, 2SB703A-S, 2SB708, 2SB708-R, 2SB747, 2SB747-R, 2SB762A, 2SB762A-R, 2SB942A, 2SB942A-R, 2SB995, 2SB995-R, 2SB996, 2SB996-R, BD244B, BD244C, BD538, BD538K, BD540B, BD540C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSA1010, KSA1010R, KSB1017, KSB1017-R, KSB596, KSB596-R, KSB708, KSB708-R, KTB1367, KTB1367R, KTB1368, KTB1368R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G, MJF2955, MJF2955G, NTE153 oder NTE292 ersetzen.