Bipolartransistor 2SB633-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB633-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -85 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB633-C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB633-C kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB633 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB633-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB633-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB633-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB633-C-Transistor könnte nur mit "B633-C" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB633-C ist der 2SD613-C.

SMD-Version des Transistors 2SB633-C

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB633-C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB633-C

Sie können den Transistor 2SB633-C durch einen 2SA1010, 2SA1010M, BD244C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.
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