Bipolartransistor KSB708-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB708-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB708-R transistor

Pinbelegung des KSB708-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB708-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB708 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des KSB708-O im Bereich von 60 bis 120, die des KSB708-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB708-R ist der KSD569-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB708-R

Sie können den Transistor KSB708-R durch einen 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB708, 2SB708-R, BD538, BD538K, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.
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