Bipolartransistor BD538K

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD538K

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD538K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD538K kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD538 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD538J im Bereich von 30 bis 75.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD538K ist der BD537K.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD538K

Sie können den Transistor BD538K durch einen 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com