Bipolartransistor KSA1010R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA1010R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1010M transistor

Pinbelegung des KSA1010R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA1010R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA1010 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des KSA1010O im Bereich von 60 bis 120, die des KSA1010Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA1010R ist der KSC2334R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA1010R

Sie können den Transistor KSA1010R durch einen 2SA1010, 2SA1010M, BD712, BD744C, BD802, BD912, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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