Bipolartransistor 2SB703A-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB703A-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB703A-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB703A-S kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB703A liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB703A-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB703A-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB703A-S-Transistor könnte nur mit "B703A-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB703A-S ist der 2SD743A-S.

SMD-Version des Transistors 2SB703A-S

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB703A-S-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB703A-S

Sie können den Transistor 2SB703A-S durch einen 2N6475, 2N6476, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1090, 2SB1090-M, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB595, 2SB595-R, 2SB995, 2SB995-R, BD244C, BD540C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G oder NTE292 ersetzen.
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