Bipolartransistor 2SB708-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB708-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB708 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB708-O im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB708-Y im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB708-R-Transistor könnte nur mit "B708-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB708-R ist der 2SD569-M.Sie können den Transistor 2SB708-R durch einen 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, BD538, BD538K, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, KSB708, KSB708-R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.