Bipolartransistor KTB1367R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB1367R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1367-R transistor

Pinbelegung des KTB1367R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB1367R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1367 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KTB1367O im Bereich von 70 bis 140, die des KTB1367Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1367R ist der KTD2059R.

SMD-Version des Transistors KTB1367R

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTB1367R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB1367R

Sie können den Transistor KTB1367R durch einen 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB595, 2SB595-R, 2SB995, 2SB995-R, BD244C, BD540C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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