Bipolartransistor 2SB595-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB595-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB595 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SB595-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB595-Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB595-R-Transistor könnte nur mit "B595-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB595-R ist der 2SD525-R.Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB595-R-Transistors.Sie können den Transistor 2SB595-R durch einen 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB995, 2SB995-R, BD244C, BD540C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.