Bipolartransistor 2N6126

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6126

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6126 ist der 2N6123.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6126

Sie können den Transistor 2N6126 durch einen 2N6134, 2N6475, 2N6476, 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF2955, MJF2955G oder NTE292 ersetzen.
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