Bipolartransistor 2SB762A-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 90
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB762A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB762A liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SB762A-P im Bereich von 120 bis 250, die des 2SB762A-Q im Bereich von 70 bis 150.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB762A-R-Transistor könnte nur mit "B762A-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB762A-R ist der 2SD857A-R.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB762A-R-Transistors.Sie können den Transistor 2SB762A-R durch einen 2N6134, 2N6475, 2N6476, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1017, 2SB1090, 2SB1367, 2SB1368, 2SB595, 2SB596, 2SB633, 2SB703, 2SB703A, 2SB708, 2SB747, 2SB942A, 2SB942A-R, 2SB995, 2SB996, BD244B, BD244C, BD538, BD538K, BD540B, BD540C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSA1010, KSB1017, KSB596, KSB708, KTB1367, KTB1368, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G, MJF2955, MJF2955G, NTE153 oder NTE292 ersetzen.