Bipolartransistor NTE292

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE292

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -130 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 16 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des NTE292

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE292 ist der NTE291.
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