Bipolartransistor MJF2955G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF2955G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
  • Der MJF2955G ist die bleifreie Version des MJF2955-Transistors

Pinbelegung des MJF2955G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJF2955G ist der MJF3055G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF2955G

Sie können den Transistor MJF2955G durch einen BD712, BD744C, BD912, BDT96, BDT96F oder MJF2955 ersetzen.
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