Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1090-M
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB1090-M
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1090-M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1090 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB1090-K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1090-L im Bereich von 80 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1090-M-Transistor könnte nur mit "B1090-M" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1090-M ist der 2SD1568-M.
SMD-Version des Transistors 2SB1090-M
Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1090-M-Transistors.
